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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制备方法、存储装置-CN202110005942.9在审
  • 刘志拯 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-01-05 - 2022-07-08 - H01L27/108
  • 本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体器件及其制备方法、存储装置。该半导体器件包括衬底、第一字线和第二字线；衬底上交替且并列设置有第一字线沟槽和第二字线沟槽；第一字线设于第一字线沟槽内；第二字线设于第二字线沟槽内；其中，第一字线沟槽的宽度大于第二字线沟槽的宽度，且第一字线沟槽的深度小于第二字线沟槽的深度，以使第一字线的宽度大于第二字线的宽度，第一字线的高度小于第二字线的高度，且第一字线的阈值电压大于第二字线的阈值电压。该半导体器件能够减少字线性能的失配。
  • 半导体器件及其制备方法存储装置
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202010092525.8在审
  • 雒曲;徐政业 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-02-14 - 2021-08-17 - H01L27/108
  • 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体基板；形成第一字线沟槽结构；在第一字线沟槽结构底部形成第一牺牲层；利用外延生长法填满位于有源区内的第一字线沟槽结构；形成第一绝缘层，其覆盖半导体基板的顶部和第一字线沟槽结构，并将第一字线沟槽结构封口；在有源区内形成第二字线沟槽结构和鳍型结构，第二字线沟槽结构的深度小于第一字线沟槽结构的深度，且第二字线沟槽结构在竖直方向上的投影与第一牺牲层在竖直方向上的投影完全重叠；去除第一牺牲层以形成字线隧道与所述第一字线沟槽结构连通；对第一字线沟槽结构、第二字线沟槽结构和字线隧道进行填充，以形成埋入式字线结构，埋入式字线结构环绕鳍型结构。
  • 半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]一种360度扇角一字线激光器-CN202210256666.8在审
  • 蔡震;陈浩;吉俊文 - 江苏亮点光电科技有限公司
  • 2022-03-16 - 2022-06-24 - H01S3/00
  • 本发明提供了一种360度扇角一字线激光器，其通过单个激光器产生360度扇角，使得定位方便快捷，且节约购置成本。其包括：一激光器；四个鲍威尔棱镜，分别为第一鲍威尔棱镜、第二鲍威尔棱镜、第三鲍威尔棱镜、第四鲍威尔棱镜；以及两组胶合棱镜，分别为第一胶合棱镜、第二胶合棱镜；激光器产生的平行光通过两个胶合棱镜分光后形成四个方向射出的四束光束、在每束光束的后方分别设置对应的鲍威尔棱镜，且述第一一字线光束、第四一字线光束分列于第三一字线光束的两侧布置，第二一字线光束、第三一字线光束分列于第一一字线光束的两侧，第一一字线光束、第二一字线光束、第三一字线光束、第四一字线光束组合形成360度输出的一字线光束。
  • 一种360度扇角一字线激光器
  • [发明专利]快闪存储器及其形成方法-CN201910001910.4有效
  • 余快;董方亮;梁肖 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2019-01-02 - 2020-07-14 - H01L27/11521
  • 一种快闪存储器及其形成方法，快闪存储器包括：半导体衬底，半导体衬底包括源线浮栅区和若干个字线位线区，源线浮栅区位于相邻的字线位线区之间，各字线位线区包括第一字线位线区和第二字线位线区，第一字线位线区位于第二字线位线区与源线浮栅区之间；位于源线浮栅区半导体衬底上的浮栅极结构；位于浮栅极结构上的第一侧墙；位于浮栅极结构和第一侧墙之间的源线层；位于第一字线位线区上的第一字线结构，第一字线结构包括第一字线氧化层；位于第二字线位线区上的第二字线结构，第二字线结构包括第二字线氧化层，第二字线氧化层覆盖第一字线结构侧壁和第二字线位线区半导体衬底表面的第二字线氧化层。
  • 闪存及其形成方法
  • [发明专利]半导体器件、其制备方法及半导体存储装置-CN202110934967.7在审
  • 梅晓波 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-08-16 - 2023-04-07 - H10B12/00
  • 本公开实施例公开了半导体器件、其制备方法及半导体存储装置，包括：半导体衬底，多个字线沟槽，字线结构；字线沟槽包括第一字线沟槽和第二字线沟槽；第一字线沟槽在半导体衬底的正投影位于浅沟道隔离区位于半导体衬底的正投影内；第二字线沟槽在半导体衬底的正投影位于有源区在半导体衬底的正投影内；字线结构包括相互连接的第一字线结构部和第二字线结构部；第一字线结构部形成于第一字线沟槽中，第二字线结构部形成于第二字线沟槽中；其中，一字线结构部具有避让区域，避让区域的顶面与第二字线结构部的顶面齐平，并且避让区域中具有绝缘物质。
  • 半导体器件制备方法半导体存储装置
  • [发明专利]半导体存储器装置及半导体装置-CN201710253929.9有效
  • 朴钟国;金泓秀;赵泰根 - 三星电子株式会社
  • 2017-04-18 - 2022-05-31 - H01L27/11551
  • 该半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和连接区域；第一字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第一字线；第二字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第二字线，第二字线堆与第一字线堆相邻；竖直沟道，位于基底的单元区域中，竖直沟道连接至基底并与所述多条第一字线和所述多条第二字线结合；桥接区域，将第一字线堆中的第一字线与第二字线堆中的相应第二字线连接；局部平坦化区域，位于桥接区域下方。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体器件-CN201811553812.3在审
  • 石井雄一郎 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-12-19 - 2019-07-02 - G11C15/04
  • 半导体器件包括：按行和列布置的存储器单元；为第一端口布置且各自对应于存储器单元的相应行而布置的多个第一字线；为第二端口布置且各自对应于存储器单元的相应行而布置的多个第二字线；各自被设置在相应的第一字线上方的多个第一虚设字线；各自被设置在相应的第二字线上方的多个第二虚设字线；驱动第一字线和第二字线的字线驱动器；以及虚设字线驱动器，用于以相反的相位借助于字线驱动器根据来自第一字线和第二字线中的第一字线的驱动来驱动针对相邻第二字线的第二虚设字线、或者借助于字线驱动器根据来自第一字线和第二字线中的第二字线的驱动来驱动针对相邻第一字线的第一虚设字线。
  • 字线虚设字线半导体器件存储器单元字线驱动器驱动驱动器面积增加耦合噪声
  • [发明专利]存储器自我刷新装置及方法-CN201410243626.5有效
  • 林哲民 - 华邦电子股份有限公司
  • 2014-06-03 - 2018-09-07 - G11C11/401
  • 本发明提供了一种存储器自我刷新装置及方法，用于包括存储器单元的存储器阵列，包括以第一主要字线信号致能的第一字线选取模块以及自我刷新控制器。第一字线选取模块包括根据第一字线驱动信号选取第一字线的第一选取元件，与根据第二字线驱动信号选取第二字线的第二选取元件。自我刷新控制器产生第一字线驱动信号、第二字线驱动信号以及第一主要字线信号，用以选择第一字线或第二字线对应的存储器单元进行自我刷新动作。当自第一字线切换至第二字线时，自我刷新控制器将第一主要字线信号维持相同逻辑电平。本发明能达到降低自我刷新的消耗电流以增进动态存取存储器的省电目的。
  • 存储器自我刷新装置方法
  • [发明专利]字线结构和半导体存储器-CN202010216024.6有效
  • 刘志拯 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-03-25 - 2022-07-22 - H01L23/538
  • 本发明涉及一种字线结构和半导体存储器，字线结构包括第一字线阵列和第二字线阵列，第一字线阵列包括沿X方向延伸的多条第一字线，多条所述第一字线具有相同的长度，且沿Y方向对齐排列；第二字线阵列包括沿所述X方向延伸的多条第二字线，多条所述第二字线具有相同的长度，且沿所述Y方向对齐排列；其中，所述第一字线阵列与所述第二字线阵列在所述Y方向上不对齐，所述Y方向与所述X方向垂直。通过使所述第一字线阵列和所述第二字线阵列在所述Y方向上不对齐，为字线接触结构在水平面内提供了更大的设置空间，从而可以扩大字线接触结构的横截面面积，进而减小字线接触结构和相应字线之间的接触电阻，提高存储单元中开关的打开和关断速度
  • 结构半导体存储器
  • [发明专利]驱动存储器设备的字线的电路和方法-CN200610101119.3有效
  • 郑钟勋;李孝祥;方薰振 - 三星电子株式会社
  • 2006-07-04 - 2007-01-10 - G11C16/08
  • 字线驱动电路可以包括第一字线驱动器、第二字线驱动器、以及通路晶体管。响应于字线选择信号，第一字线驱动器可以在第一操作模式下利用第一字线驱动电压信号来驱动字线，或者第二字线驱动器可以利用第二字线驱动电压信号来驱动字线。耦合于第一字线驱动器与字线之间的通路晶体管可以响应于控制电压信号将第一字线驱动电压信号传送给字线，其中该控制电压信号在第一操作模式的初始阶段被自升压、并且在一时间周期之后被维持在稳定的电压电平上。
  • 驱动存储器设备电路方法
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